文献

J-GLOBAL ID：201002292936495080   整理番号：10A0831245

GaNのためのK₂S₂O₈-KOH光エッチング系

The K₂S₂O₈-KOH photoetching system for GaN

著者 (5件)： WEYHER J.l. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  TICHELAAR F.d. (National Centre for HREM, Kavli Inst. of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, NLD) ,  VAN DORP D.h (Condensed Matter and Interfaces, Debye Inst. for NanoMaterials Sci., Utrecht Univ., 3584 CC Utrecht, NLD) ,  KELLY J.j. (Condensed Matter and Interfaces, Debye Inst. for NanoMaterials Sci., Utrecht Univ., 3584 CC Utrecht, NLD) ,  KHACHAPURIDZE A. (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 18  ページ： 2607-2610  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近開発されたn型GaNの光エッチング液を詳細に調べた。これは強酸化剤のペルオキソ二硫酸カリウム(K₂S₂O₈)を含むKOH溶液である。エッチングパラメータ(成分比,流体力学など)を慎重に選ぶことにより2つの異なるエッチングモードが定まる。すなわち,欠陥選択エッチング(KSO-D)と研磨(KSO-P)である。この2つのエッチング法は開放回路(無電解)条件下で使うことができる。KSO-Dエッチングでは欠陥に関係した輪郭の明瞭なエッチホイスカが形成された。全てのタイプの転位が検出された。これはエッチ試料の断面TEM観察により確認された。電気的に活性な拡張欠陥も明瞭に検出された。KOH溶液によるGaNの光エッチングでは,エッチ速度とキャリア密度の間によく知られた関係があるが,この関係はKSO-DエッチでもRaman分光により確認された。KSO-Pエッチングは拡散律速なのでGaNの研磨に適している。GaNに対するKSOエッチング液のいくつかの制約を議論した。今まで理解されなかった特異なエッチ像について述べた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *格子欠陥 ,  キャラクタリゼーション ,  選択腐食 ,  *エッチング液 ,  カリウム化合物 ,  ペルオキソ硫酸塩 ,  水酸化カリウム ,  化学研磨 ,  *フォトエッチング ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 選択エッチング ,  ペルオキソ二硫酸カリウム

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  KOH ,  光エッチング