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J-GLOBAL ID：201002292956281591   整理番号：10A0501003

低温真空アニールによるシリコン・ナノ粒子における欠陥の減少

Defect reduction in silicon nanoparticles by low-temperature vacuum annealing

著者 (7件)： NIESAR S. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  STEGNER A. R. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  PEREIRA R. N. (Departamento de Fisica and I3N, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, PRT) ,  HOEB M. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  WIGGERS H. (Inst. fuer Verbrennung und Gasdynamik and CeNIDE, Center for NanoIntegration Duisburg-Essen, Universitaet ...) ,  BRANDT M. S. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  STUTZMANN M. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 19  ページ： 193112  発行年： 2010年05月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子スピン共鳴を用いて,200°Cでの真空アニールを行うことにより,シリコン・ナノ粒子(Si-NP)におけるシリコン・ダングリングボンド(Si-db)欠陥が著しく減少することを見いだした。Si-db密度の改善で最も良いものは,フッ酸(HF)中におけるエッチングステップを真空アニールと一緒に施した場合で,約10倍の改善効果が見られた。一方,HFエッチングのみを用いた場合,Si/SiO₂界面でのSi-dbが除かれるだけであった。Si-db欠陥密度の減少は,Si-NP薄膜に対する光熱偏向分光法,および,光伝導測定によって確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *焼なまし ,  *ナノ粒子 ,  *ケイ素 ,  *格子欠陥 ,  構造 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  ダングリングボンド ,  エッチング ,  光熱偏向分光法 ,  光伝導 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *アニーリング処理 ,  *シリコン ,  構造欠陥 ,  電子スピン共鳴

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  真空 ,  アニール ,  シリコン ,  ナノ粒子 ,  欠陥