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J-GLOBAL ID：201002293182647837   整理番号：10A0464681

電場変調吸収法およびEFI-SHG法によるITO/α-NPD/Alq3/Al素子内の電界分布評価

著者 (5件)： 井上志生 (東京工大 理工) ,  田口大 (東京工大 理工) ,  WEIS Martin (スロバキア物理学会) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.20A-ZK-9  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電位分布 ,  *発光ダイオード ,  *電場 ,  *電界強度 ,  第二高調波発生 ,  *キャリア
準シソーラス用語： SHG【高調波】 ,  光キャリア ,  光強度 ,  電界分布 ,  電場変調吸収法 ,  有機発光ダイオード

分類 (2件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電場変調 ,  SHG ,  ITO ,  α-NPD ,  Al ,  電界分布 ,  評価