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J-GLOBAL ID：201002293741155362   整理番号：10A0193105

グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて-素子シミュレーションと素子作成・物性評価-

Toward the Development of Graphene Nano-electronics: Simulation, fabrication, and evaluation of graphene devices

著者 (5件)： 相馬聡文 (神戸大 大学院工学研究科) ,  小川真人 (神戸大 大学院工学研究科) ,  山本貴博 (東大 大学院工学系研究科) ,  渡辺一之 (東京理大 理) ,  長汐晃輔 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 固体物理  (Solid State Physics)
巻： 45  号： 1  ページ： 63-76  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： F0158B  ISSN： 0454-4544  CODEN： KOTBA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *グラファイト ,  電子技術 ,  計算機シミュレーション ,  *FET【トランジスタ】 ,  電子構造 ,  バンド構造 ,  *ナノ構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  ナノエレクトロニクス ,  ナノリボン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 開発 ,  シミュレーション ,  物性評価