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J-GLOBAL ID：201002293978356753   整理番号：10A0254053

A面サファイア基板上GaNエピ層のナノインデンテーションの特性評価

Nanoindentation characterization of GaN epilayers on A-plane sapphire substrates

著者 (7件)： LIN Meng-hung (Dep. of Mechanical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  WEN Hua-chiang (Dep. of Mechanical Engineering, Chin-Yi Univ. of Technol., Taichung 411, Taiwan) ,  HUANG Chih-yung (Dep. of Mechanical Engineering, Chin-Yi Univ. of Technol., Taichung 411, Taiwan) ,  JENG Yeau-ren (Dep. of Mechanical Engineering, National Chung Cheng Univ., Chia-Yi 621, Taiwan) ,  YAU Wei-hung (Dep. of Mechanical Engineering, Chin-Yi Univ. of Technol., Taichung 411, Taiwan) ,  WU Wen-fa (National Nano Device Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHOU Chang-pin (Dep. of Mechanical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 11  ページ： 3464-3467  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)エピ層を,有機金属化学蒸着(MOCVD)法を用いてa軸サファイアー基板上に蒸着した。GaNエピ層は,ナノインデンテーション法によるそれらの繰返し圧力誘起損傷事象において調べられ,そして,その相対的な変形効果を原子間力顕微鏡(AFM)で観察した。形態研究から,残留インデンテーション凹窪上での,臨界深さを超えるインデンテーションの後でも,一つのクラックも粒子も見出されないことが明らかとなった。ポップイン事象が変形領域の相互作用によって説明され,それは,GaN膜の内部貫通転位を伴って圧子先端によって生じたものである。ポップイン事象は,臨界深さの下で測定される個々の転移の生成と運動を示し,GaN膜の残留変形は観測されていない。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  エピタクシー ,  *MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  *ナノインデンテーション ,  原子間力顕微鏡 ,  貫通転位

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  GaN ,  エピ層 ,  ナノインデンテーション ,  特性評価