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J-GLOBAL ID：201002294043812803   整理番号：10A0268779

GaNのナノワイヤにおける非平衡キャリアダイナミクスに対する欠陥状態の影響

The influence of defect states on non-equilibrium carrier dynamics in GaN nanowires

著者 (6件)： UPADHYA Prashanth C (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  LI Qiming (Sandia National Lab., NM, USA) ,  WANG George T (Sandia National Lab., NM, USA) ,  FISCHER Arthur J. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  TAYLOR Antoinette J (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  PRASANKUMAR Rohit P (Los Alamos National Lab., NM, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 2  ページ： 024017,1-6  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長条件の異なる様々なGaN-ナノワイヤ(NW)における非平衡キャリヤのダイナミクスに対する欠陥状態の影響を,時間分解光学分光法によって研究した結果を報告する。基板温度の異なる(800°C,850°C,900°C)三種類のNWにおける欠陥に関与する黄色発光に基づくキャリアの緩和の測定から,成長温度はキャリアの緩和における付加的な欠陥状態の役割を抑制する有効な方法であることが分かった。キャリア寿命の励起強度依存性は,レーザによって導入される付加的な欠陥状態に関係する緩和を含む多体効果に起因するものと考えられる。本研究で採用した超短パルスを用いた実験方法は,半導体NWの欠陥状態の性質を理解するのに非常に有用な光学的分光法であることが分かった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  MOCVD ,  VLS成長 ,  基板温度 ,  *光ルミネセンス ,  緩和現象 ,  放射強度 ,  時間依存性 ,  キャリア寿命 ,  欠陥準位 ,  レーザ励起 ,  パルスレーザ照射 ,  減衰特性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  非平衡 ,  欠陥状態