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J-GLOBAL ID：201002294061407860   整理番号：10A0134509

メサ周辺のGaNマイクロピラーとパターン化基板を使ったIII族窒化物系発光ダイオード

III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes With GaN Micropillars Around Mesa and Patterned Substrate

著者 (6件)： PENG Li-Chi (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LAI Wei-Chih (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG Ming-Nan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HSUEH Tao-Hung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SHEI Shih-Chang (National Univ. Tainan, Tainan, TWN) ,  SHEU Jinn-Kong (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 140-144  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物系発光ダイオード(LED)の出力効率向上のため,パターン化サファイア基板,テクスチャード側壁メサ,およびメサ領域周辺のマイクロピラーを使ったLEDを作製した。マイクロピラーとパターン化基板により,メサ領域外側の光導波モードの阻止が可能なことを示した。このLEDで約60%という高い出力パワー増強が得られることも示した。メサ領域外側の光強度がメサ端からの距離に比例して減衰することも分かった。GaN系LEDの光抽出に関して顕著な改善が実証された。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  パターン形成 ,  基板 ,  メサ構造 ,  テキスチャード加工 ,  微細構造 ,  制御 ,  効率
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  マイクロピラー ,  モード制御 ,  出力効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 周辺 ,  GaN ,  マイクロピラー ,  パターン化 ,  III族 ,  窒化物 ,  発光ダイオード