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J-GLOBAL ID：201002294304693955   整理番号：10A0580791

CF₄マイクロ波プラズマ中でのPTFE様薄膜の形成

Formation of PTFE-like films in CF₄ microwave plasmas

著者 (5件)： QUADE Antje (INP (Leibniz Inst. for Plasma Sci. and Technol. e.V.), Felix-Hausdorff-Strasse 2, 17489 Greifswald, DEU) ,  POLAK Martin (INP (Leibniz Inst. for Plasma Sci. and Technol. e.V.), Felix-Hausdorff-Strasse 2, 17489 Greifswald, DEU) ,  SCHROEDER Karsten (INP (Leibniz Inst. for Plasma Sci. and Technol. e.V.), Felix-Hausdorff-Strasse 2, 17489 Greifswald, DEU) ,  OHL Andreas (INP (Leibniz Inst. for Plasma Sci. and Technol. e.V.), Felix-Hausdorff-Strasse 2, 17489 Greifswald, DEU) ,  WELTMANN Klaus-dieter (INP (Leibniz Inst. for Plasma Sci. and Technol. e.V.), Felix-Hausdorff-Strasse 2, 17489 Greifswald, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 17  ページ： 4835-4839  発行年： 2010年06月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリスチレン基板上に低圧マイクロ波プラズマ(MW)を用いて純粋なCF₄から薄膜を堆積させ,続いて出来た表面の検証をしたことを本研究の焦点とする。前駆体分子のF/C比が低圧プラズマプロセスの結果,あるいはフルオロカーボン堆積と材料エッチング間のバランスに重要な役割を演ずることは,一般に受け入れられている。意外にもCF₄は典型的なエッチング気体であるのに,その中でのMWガス放電を用いて薄膜形成を観測することが出来た。少なくも10nmの厚さの被膜が形成された。この膜はポリテトラフルオロエチレン(PTFE)様であり,F/C比が1.8で水接触角が110°の疎水性表面により特徴付けられる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリテトラフルオロエチレン ,  ポリスチレン ,  基板 ,  エッチング ,  気体放電 ,  接触角 ,  *疎水性 ,  X線光電子スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分子薄膜 ,  フロン
準シソーラス用語： フルオロカーボン ,  *マイクロ波プラズマ

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ波プラズマ ,  PTFE ,  薄膜