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J-GLOBAL ID：201002294431313088   整理番号：10A1126395

BD180LV-7~30Vの最良級LDMOSを用いた0.18μm BCD技術

BD180LV-0.18μm BCD Technology with Best-in-Class LDMOS from 7V to 30V

著者 (11件)： KO Kwang-Young (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  PARK Il-Yong (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  CHOI Yong-Keon (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  YOON Chul-Jin (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  MOON Ju-Hyoung (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  PARK Kyung-Min (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  LIM Hyon-Chol (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  PARK Soon-Yeol (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  KIM Nam-Joo (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  YOO Kwang-Dong (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR) ,  HUTTER Lou N. (Dongbu HiTek, Bucheon, KOR)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 57-60  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力管理分野は半導体産業で高成長市場の一つであり,最近,BCD(バイポーラ-CMOS-DMOS)技術が,電力管理機能をもつ大規模論理諸応用用に幅広く使用されてきた。超低オン比抵抗(R_sp)nLDMOSを用いた,新0.18μm BCD技術を提案した。24V LDMOSのDC特性と信頼性について検討した。複数のイオン注入と適正な熱処理を用いることにより,最低のR_spを得ることができるように,nLDMOSのドリフトを最適化した。最適化した24V LDMOSは,産業界で最良級のR_sp性能であるR_sp=14.5mΩ・mm²と破壊電圧BV_DSS=36Vを示した。信頼性評価のため,電気的安全動作領域(SOA)と長時間ホットエレクトロン(HE)SOAを測定した。外挿した寿命から,オン抵抗の10%以下の劣化で最大動作電圧は24.4Vであることを示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *信頼性 ,  許容限界 ,  *ホットエレクトロン ,  オン抵抗 ,  *電力管理 ,  電流電圧特性 ,  衝突イオン化 ,  絶縁破壊 ,  寿命予測 ,  EEPROM
準シソーラス用語： LDMOS ,  SOA

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： LDMOS