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J-GLOBAL ID：201002294442060491   整理番号：10A0366327

アナターゼTiO₂シード層を使ったガラス上の多結晶 TaドープSnO₂薄膜の80cm² V^ー1s^ー1を上回る高い移動度

High Mobility Exceeding 80cm²V^-1s^-1 in Polycrystalline Ta-Doped SnO₂ Thin Films on Glass Using Anatase TiO₂ Seed Layers

著者 (11件)： NAKAO Shoichiro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMADA Naoomi (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Kanagawa Acad. Sci. and Technol.(KAST), Kawasaki, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 3  ページ： 031102.1-031102.3  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シード層法を使用したレーザ パルス堆積で高移動度TaドープSnO₂(TTO)薄膜をガラス基板上に成長させた。厚さ10nmの多結晶アナターゼ TiO₂シード層の使用が(200)配向TTO薄膜の好ましい成長に導き,直接ガラス基板上に成長させた薄膜と比較してキャリヤー密度の30%増加と2倍以上の移動度の増加になることが分かった。得らた最も高い移動度は,2.8×10^-4Ωcmの抵抗率で83cm²V^-1s^-1であった。一方,最も低い抵抗率1.8×10^-4Ωcmの薄膜は,60cm²V^-1s^-1の移動度であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化チタン ,  ガラス ,  多結晶 ,  *酸化スズ ,  *移動度 ,  レーザパルス ,  *薄膜 ,  アナターゼ ,  抵抗

分類 (1件)： 電子物性一般  (BM01000S)

引用文献 (25件)：

• FORTUNATO, E. MRS Bull. 2007, 32, 242
• OYAMA, T. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2008, 1101
• KOIDA, T. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2009, 93, 851
• MENG, Y. Thin Solid Films. 2001, 394, 218
• WARMSINGH, C. J. Appl. Phys. 2004, 95, 3831

タイトルに関連する用語 (9件)： アナターゼ ,  TiO2 ,  シード層 ,  ガラス ,  多結晶 ,  Ta ,  ドープ ,  薄膜 ,  移動度