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J-GLOBAL ID：201002294475219631   整理番号：10A1086240

ヘイズリスクを減らしたマスク製造プロセス

Haze Risk Reduced Mask Manufacturing Process

著者 (4件)： NESLADEK Pavel (Advanced Mask Technol. Center, Dresden, DEU) ,  BAUDIQUEZ Valentine (Advanced Mask Technol. Center, Dresden, DEU) ,  FOCA Eugen (Advanced Mask Technol. Center, Dresden, DEU) ,  SASS Bjoern (Advanced Mask Technol. Center, Dresden, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7748  ページ： 77480F.1-77480F.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 193nm露光波長の導入以降になって,ヘイズの形成が特に多数回の露光に使われるマスクにとって,厳しいものになってきた。空気中に低濃度で存在するいくつかの化合物がヘイズを形成する。硫黄によるヘイズの形成は良く知られている。マスク上で最終的な硫黄の濃度を減らすこととマスク製造工程で硫酸の使用を減らす異なるアプローチが報告されている。温水による洗浄除去,真空中のUV照射,ベーキング,IR照射などの伝統的なプロセスに加えて,アンモニア液処理がマスク表面に硫黄イオンの侵入を妨げる表面処理として報告されている。ヘイズの成長が更なるマスクの使用を妨げるまでの露光回数は硫黄濃度だけに依存するわけではない。保管・使用条件などの要因がマスクに再洗浄が必要になるまでの期間に大きく影響する。本研究は上述したアプローチを評価し,その限界の概略を見積もる。

シソーラス用語： 光拡散 ,  光散乱 ,  *フォトマスク ,  回路パターン形成 ,  加工欠陥 ,  *フォトリソグラフィー ,  半導体プロセス ,  硫酸塩 ,  汚染防止 ,  *表面処理 ,  浄化 ,  品質管理
準シソーラス用語： ヘイズ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： マスク ,  製造プロセス