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J-GLOBAL ID：201002294516991034   整理番号：10A0686270

軸状その場ドーピングp-n接合ゲルマニウムナノワイヤの成長,電気整流,およびゲート制御

Growth, electrical rectification, and gate control in axial in situ doped p-n junction germanium nanowires

著者 (5件)： LE Son T. (Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA) ,  JANNATY P. (Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA) ,  ZASLAVSKY A. (Dep. of Physics, Div. of Engineering, Brown Univ., Providence, Rhode Island 02912, USA) ,  DAYEH S. A. (Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA) ,  PICRAUX S. T. (Center for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 262102  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軸状その場ドーピングp-n接合Geの直径サブ100nmナノワイヤの気液固成長と電気的性質を報告した。室温四点測定はナノワイヤドーピングと直径に依存して二から三桁大きい電流整流を示した。最高三桁の大きさの逆バイアス電流の強いバックゲート制御を観察し,準三次元Schroedinger-Poissonシミュレーション経由で定性的に確認される,バックゲート制御電場によって変調したバンド-バンドトンネリングによってそれを説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 軸 ,  化学合成 ,  ドーピング ,  PN接合 ,  *ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  *整流 ,  ゲート【半導体】 ,  制御 ,  気液固反応 ,  電気的性質 ,  室温 ,  直径 ,  三次元 ,  計算機シミュレーション ,  電場 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： その場合成 ,  バイアス電流 ,  バックゲート

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドーピング ,  p-n接合 ,  ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  整流 ,  ゲート制御