文献

J-GLOBAL ID：201002294723191439   整理番号：10A0949470

ラット上頸神経節細胞におけるPARsに対する刺激による細胞内カルシウムイオン濃度変化

著者 (9件)： 三浦仁 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  佐藤雅仁 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  鍋島謙一 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  四戸豊 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  遠藤千恵 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  佐藤健一 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  城茂治 (岩手医大 歯 口腔外科 歯科麻酔学分野) ,  斎野朝幸 (岩手医大 医 解剖学 細胞生物学分野) ,  佐藤洋一 (岩手医大 医 解剖学 細胞生物学分野)
資料名： 日本歯科麻酔学会雑誌  (Journal of Japanese Dental Society of Anesthesiology)
巻： 38  号： 4  ページ： 533  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： Y0016A  ISSN： 0386-5835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 会議録記事  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ラット ,...
準シソーラス用語： PAR3 ,...

ログイン（無料）して見る     続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0949470&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0016A") }}

分類 (1件)： 細胞膜の受容体  (EF04030C)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラット ,  上頸神経節 ,  細胞 ,  PARS ,  刺激 ,  細胞内カルシウムイオン濃度