平面型光学Kerrゲートスイッチ用のInAs量子ドットを歪み緩和障壁に埋め込んだGaAs/AlAs多重層共振器

TAKAHASHI Tomoya; MUKAI Takuya; MORITA Ken; KITADA Takahiro; ISU Toshiro

文献

J-GLOBAL ID：201002294732245380 整理番号：10A0491071

平面型光学Kerrゲートスイッチ用のInAs量子ドットを歪み緩和障壁に埋め込んだGaAs/AlAs多重層共振器

GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Planar-Type Optical Kerr Gate Switches

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資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DG02.1-04DG02.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

平面型光学Kerrゲートスイッチに対して歪み緩和In<sub>0.35</sub>Ga<sub>0.65</sub>As障壁に埋め込んだ自己集合InAs量子ドット(QD)を含むGaAs/AlAs多重層共振器を研究した。格子歪み緩和が半波長(λ/2)共振器層中に誘起されるにもかかわらず,分子線エピタキシーにより(001)GaAs基板上に滑らかなGaAs/AlAs界面をもつ多重層共振器構造を成長させることに成功した。室温でポンプ-プローブ法により空洞モード(λ=1.46μm)で時間分解光学測定を行なった。λ/2共振器層には2層のInAs QDだけしか挿入されなかったが,共鳴QDにおける吸収飽和により生じる大きな透過率の変化を明白に観測した。時間的プロファイルは高速(約16ps)減衰成分により支配され,この減衰成分は格子歪み緩和から生じる非放射性中心への緩和に由来した。我々はまた,強く増強された光学Kerr信号の超高速応答時間(<1ps)が多重層共振器における光子寿命により決定されることを示した。(翻訳著者抄録)

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半導体レーザ

引用文献 (18件)：

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