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J-GLOBAL ID：201002294980021986   整理番号：10A0845889

SrZrO₃ベースメモリフィルムの抵抗スイッチング特性とメカニズムに与えるバナジウムドーピングの効果

Effects of Vanadium Doping on Resistive Switching Characteristics and Mechanisms of SrZrO₃-Based Memory Films

著者 (4件)： LIN Meng-Han (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Ming-Chi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chen-Hsi (Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Tseung-Yuen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 8  ページ： 1801-1808  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリとして現在フラッシュが多く使われているが,将来のスケーリングにたいして物理的限界があり,代替として抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)が考えられている。RFスパッターSrZrO₃(SZO)薄膜の抵抗スイッチング特性(RS)とメカニズムに与えるバナジウムドーピングの効果を調べた。Zr₄₊はV₅₊で置換されSZO膜の物理的電気的特性は変化し,RSパラメータも影響される。SZO薄膜の伝導メカニズムは低抵抗状態はホッピング伝導で,高抵抗状態はFrenkel-Poole放出である。ターンオンプロセスは酸素空孔から成る導電フィラメントの形成であり,ターンオフプロセスはJoule熱効果による酸素空孔の酸化によると考えられる。

シソーラス用語： 空格子点 ,  *ドーピング ,  RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  ジルコニウム酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  *バナジウム ,  *不揮発性メモリ ,  ホッピング伝導 ,  抵抗加熱
準シソーラス用語： Joule加熱 ,  *RRAM ,  ジルコン酸ストロンチウム ,  酸素空孔 ,  抵抗スイッチング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング特性 ,  メカニズム ,  バナジウム ,  ドーピング