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J-GLOBAL ID:201002295219862604   整理番号:10A1070051

UHV-TEM/STMによって研究したSi(111)-7×7上でのIn表面マジッククラスタへのAg原子の付着

Adhesion of Ag atoms to In surface magic clusters on Si(111)-7 × 7 studied by UHV-TEM/STM
著者 (4件):
資料名:
巻: 42  号: 10/11  ページ: 1520-1523  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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走査型トンネル顕微鏡法(STM)および透過型電子顕微鏡法(TEM)の両方を用いて,比較的高い被覆率の表面マジッククラスタ(SMC)を特性評価した。テンプレートとしてSi(111)-7×7基体上でのIn SMCを用いて,Ag原子を選択的に整列させ,その構造的変化および電子特性を研究し,STM画像と透過電子回折(TED)パターン間の相関を議論した。STM画像によって,7×7ユニットセルの断層した半分上でのIn SMCの形成が確認され,Si(111)-7×7から改質された対応する回折パターンが得られた。パターンから,7×7規則格子上でのSMCの形成が示された。その後のAgデポジションによって,Ag原子のIn SMC上への付着が観測された。低被覆率では,すべてのAg原子がIn SMC中で捕獲され,一方高い被覆率では,過剰Ag原子が表面上で動き回っていた。対応する回折パターンによって,In SMC中に捕獲されたAg原子が既知のAg-In合金相とは異なる特性原子構造を持つことが示された。また電子エネルギー損失分光法(EELS)スペクトルの変化から,表面層中での電子再分布が示された。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
吸着の電子論  ,  半導体の表面構造  ,  無機化合物の物理分析 

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