文献

J-GLOBAL ID：201002295543525505   整理番号：10A0904135

ヘリウム希釈シラングロー放電によって作製された微結晶シリコン薄膜の性質に及ぼす高周波パワーと全質量流速度の効果

Effect of radio frequency power and total mass-flow rate on the properties of microcrystalline silicon films prepared by helium-diluted-silane glow discharge

著者 (5件)： TORRES I. (Instituto de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, ESP) ,  BARRIO R. (Instituto de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, ESP) ,  SANTOS J.d. (Instituto de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, ESP) ,  GONZALEZ N. (Instituto de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, ESP) ,  GANDIA J.j. (Instituto de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, ESP)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 23  ページ： 7019-7023  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着によって比較的低い堆積温度(180°C)で水素化微結晶シリコン薄膜を作製した。より普通のアプローチである水素希釈の代わりに,シランのヘリウム希釈を用いて微結晶成長を促進した。構造的,光学的,電気的特性に及ぼす印加高周波パワー(RFP)と全ガス流の効果を研究した。構造測定から観察されたように,微結晶成長は印加RFPが増加し,及び/又は全ガス流が減少すると共に助長される。しかしながら,RFPの増加は結晶粒を取り囲むアモルファス組織における欠陥密度の増大及び/又は結晶粒内欠陥の増大を伴うことが構造的,光学的,電気的測定から導かれた。微結晶成長と欠陥形成をHe^*脱励起プロセスと高エネルギーHe⁺イオン衝撃の観点から説明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *微結晶 ,  *ケイ素 ,  水素化物 ,  半導体薄膜 ,  *プラズマCVD ,  グロー放電 ,  シラン ,  *ヘリウム ,  欠陥密度 ,  高周波放電 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  *光学定数 ,  *電気伝導率

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (11件)： ヘリウム ,  希釈 ,  シラン ,  グロー放電 ,  作製 ,  微結晶 ,  シリコン薄膜 ,  性質 ,  高周波 ,  パワー ,  全質量