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J-GLOBAL ID：201002295915461894   整理番号：10A0673073

積層金属前駆体の硫化により作製した三元Cu₂SnS₃及びCu₃SnS₄薄膜の研究

A study of ternary Cu₂SnS₃ and Cu₃SnS₄ thin films prepared by sulfurizing stacked metal precursors

著者 (4件)： FERNANDES P A (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  FERNANDES P A (Instituto Politecnico do Porto, Porto, PRT) ,  SALOME P M P (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  DA CUNHA A F (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 21  ページ： 215403,1-11  発行年： 2010年06月02日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直流マグネトロンスパッタリングしたSn-Cu金属前駆体をS₂雰囲気中で硫化してCu₂SnS₃及びCu₃SnS₄薄膜を成長させた。薄膜をX線回折,電子後方散乱回折,Raman分光法,組成分析により調べた。これらの化合物は10⁴cm^-1に近い吸光度を示した。350°Cの硫化ではCu₂SnS₃膜は正方晶相,400°Cでは立方晶相であった。520°CではSn含有量が低下し,斜方晶系Cu₃SnS₄が形成された。それぞれに対するバンドギャップエネルギーを推定した。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  硫化 ,  *薄膜成長 ,  硫化物 ,  スズ化合物 ,  銅化合物 ,  X線回折 ,  電子回折 ,  光吸収 ,  度 ,  *結晶構造 ,  バンドギャップ ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー ,  *半導体薄膜 ,  吸光度
準シソーラス用語： 電子後方散乱回折 ,  バンドギャップエネルギー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 積層金属 ,  前駆体 ,  硫化 ,  作製 ,  薄膜 ,  研究