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J-GLOBAL ID：201002295934188929   整理番号：10A0695168

暗電流と深い準位の過渡スペクトル法を用いたCMOSイメージセンサーの金属汚染に関する研究

Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark-Current and Deep-Level Transient Spectroscopies

著者 (4件)： DOMENGIE F. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  DOMENGIE F. (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA) ,  REGOLINI J. L. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BAUZA D. (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 6  ページ： 625-629  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSイメージセンサー(CIS)は携帯電話,デジタルカメラ,Webカメラ,自動車などの大量に使用される市場で注目を浴びている。CCDに比べて低消費電力,生産コストが低いことが利点であるが,暗電流がCCDに比較して多いという問題がある。CISにおける暗電流はフォトダイオードの中のフォトンによって作られるものではなく,キャリアに寄生して生成される。暗電流スペクトル法(DCS)と深い準位の遷移スペクトル法(DLTS)を使って金とタングステン(W)のイオン注入による汚染の検出と分析について研究した。DCS法はCIS表面のメタルモニタリングとして開発された結果,Wのゆっくりとした拡散による汚染に起因する量子化された暗電流のピークとして最初に観測された。DLTSはDCSに比べて感度は低いものの,明らかなDCSピークにつながる大きな暗電流を引き起こす中間ギャップには十分近くない深い準位を検出する補完手法である。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *イメージセンサ ,  電荷結合素子 ,  *暗電流 ,  フォトダイオード ,  *深準位過渡分光法 ,  環境汚染
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  金属汚染

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 暗電流 ,  深い準位 ,  CMOSイメージセンサー ,  金属汚染 ,  研究