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J-GLOBAL ID：201002296011518175   整理番号：10A0617840

GaN(0001)テンプレート上に有機金属化学蒸着により成長させたInドープZnO薄膜の性質

Properties of In-Doped ZnO Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition on GaN(0001) Templates

著者 (6件)： BEN-YAACOV Tammy (Univ. California, CA, USA) ,  IVE Tommy (Univ. California, CA, USA) ,  VAN DE WALLE Chris G. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 5  ページ： 608-611  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOは,ユニークな電気的性質,圧電性質や光学的性質を有し,オプトエレクトロニクス素子用材料として期待されている。本稿では,GaN(0001)テンプレート上に有機金属化学蒸着により成長させたInドープZnO薄膜の性質について報告した。n型キャリア濃度が1.82×10¹⁹cm^-3までの鏡面および透明薄膜を成膜した。Inドープによりシート抵抗は85Ω/sqまで低下した。これは,非ドープZnO薄膜に比べて大幅な減少である。これらの結果から,InがZnOのn型導電性に対して有効なドーパントであることが分かった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  インジウム ,  *MOCVD ,  N型半導体 ,  キャリア密度 ,  シート抵抗 ,  ドーピング ,  ドーパント ,  オプトエレクトロニクス ,  透明電極
準シソーラス用語： In ,  ZnO ,  キャリア濃度 ,  ドープ ,  有機金属化学蒸着法

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  テンプレート ,  有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  性質