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J-GLOBAL ID：201002296033547772   整理番号：10A0488004

マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度と電極表面状態の影響に関する一考察

The Relationship between Radiated EM Field Intensity and Electrode Condition due to Micro Gap Discharge

著者 (3件)： 川又憲 (八戸工業大学) ,  嶺岸茂樹 (東北学院大学) ,  藤原修 (名古屋工業大学)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 130  号： 5  ページ： 445-450 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 放射電磁波強度のバラツキについて検討し,主要因の一つとして電極表面状態が放射電磁波強度に大きく関係することを明らかにした。さらに電極表面の表面仕上げ頻度を高めることにより放射電磁波強度が高くなる傾向を確認したことについての検討結果を報告した。放射電磁界強度はギャップ長が短くなり放電電圧が低下するのに従っていったん低下し,約880V付近で最低値を示すことを確認した。その後,さらに短いギャップでは放電電圧は低下するが放射電磁界強度は上昇する傾向を示した。約400Vの絶縁破壊電圧では放射電磁波強度は約2.2V_p-pと約800V付近による放電よりも高い値を示した。さらに,放電電圧と放射電磁波強度のバラツキの主要因として,数十μm以下の極短ギャップ放電においては電極表面状態が放射電磁波強度に大きく影響することが分かった。

シソーラス用語： *電磁波放射 ,  *放射強度 ,  電極チップ ,  表面仕上
準シソーラス用語： ばらつき ,  *マイクロギャップ放電 ,  *静電気放電 ,  絶縁破壊電圧 ,  *電極先端 ,  表面状態

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

引用文献 (20件)：

• (1) T. Takagi : “Research and Development on EMC/EMI Measurements and Technologies in Japan”, IEICE Trans. Commun., Vol. J79-B-II, No. 11, pp. 718-726 (1996-11) (in Japanese)
• 高木 相:「EMC/EMI関連測定とその測定技術に関する我が国の研究開発」,信学論, J79-B-II, 11, pp. 718-726 (1996-11)
• (2) 本田昌實:「ESDの特徴と計算機に対する影響(その1)」,信学技報, EMCJ83-75, pp. 25-30 (1983)
• (3) 本田昌實:「ESDの特徴と計算機に対する影響(その2)」,信学技報, EMCJ83-87, pp. 13-17 (1984)
• (4) M. Honda : “EMI Aspects of the Metal-Metal ESD to the Electronic Equipment”, J. IEICE, Vol. 78, No. 9, pp. 849-850 (1995-9) (in Japanese)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロギャップ放電 ,  放射 ,  電磁波 ,  電極表面