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J-GLOBAL ID：201002296754865627   整理番号：10A0686278

酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜の抵抗メモリスイッチング特性に及ぼす電極材料の影響

Influence of electrode material on the resistive memory switching property of indium gallium zinc oxide thin films

著者 (8件)： CHEN Min-chen (Dep. of Physics, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung 804, Taiwan) ,  CHANG Ting-chang (Dep. of Physics, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung 804, Taiwan) ,  TSAI Chih-tsung (Dep. of Physics, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung 804, Taiwan) ,  HUANG Sheng-yao (Dep. of Physics, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung 804, Taiwan) ,  CHEN Shih-ching (Dep. of Physics, National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung 804, Taiwan) ,  HU Chih-wei (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  SZE Simon M. (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  TSAI Ming-jinn (Electronics and Opto-electronics Res. Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 262110  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論では,抵抗不揮発性メモリのスイッチング層としてInGaZnOを提案した。Ti/InGaZnO/TiNで構成したメモリセルは,100サイクル以上のスイッチング応答で,10²の安定抵抗比を保持するバイポーラスイッチング動作を明らかにした。抵抗スイッチングは,バイアス印加電極とその近くでの電気化学反応による導電性フィラメントの形成/崩壊に起因している。抵抗スイッチングに及ぼす電極材料の影響を,(PtとTiN電極上にバイアスを印加するときにそれぞれユニポーラとバイポーラ動作を行う)Pt/InGaZnO/TiN素子を通して研究した。実験結果は,スイッチング動作が電極によって選択できることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  薄膜 ,  電気抵抗 ,  *スイッチング ,  *電極材料 ,  *不揮発性メモリ ,  層 ,  チタン ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  バイアス ,  電気化学反応 ,  フィラメント ,  白金
準シソーラス用語： TiN

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  薄膜 ,  抵抗メモリ ,  スイッチング特性 ,  電極材料