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J-GLOBAL ID：201002296937857984   整理番号：10A0392604

微細構造作製と有限要素解析により評価した低応力ヘテロエピタキシャル3C-SiC膜

Low Stress Heteroepitaxial 3C-SiC Films Characterized by Microstructure Fabrication and Finite Elements Analysis

著者 (14件)： ANZALONE R. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  ANZALONE R. (Univ. Catania, Catania, ITA) ,  CAMARDA M. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  LOCKE C. (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  ALQUIER D. (Univ. Francois Rabelais, Tours, FRA) ,  SEVERINO A. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  ITALIA M. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  RODILOSSO D. (ST-Microelectronics, Catania, ITA) ,  TRINGALI C. (ST-Microelectronics, Catania, ITA) ,  LA MAGNA A. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  FOTI G. (Univ. Catania, Catania, ITA) ,  SADDOW S. E. (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  LA VIA F. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA) ,  D’ARRIGO G. (Inst. for Microelectronics and Microsystems, National Res. Council, Catania, ITA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 4  ページ： H438-H442  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノシラン,プロパン,水素を用いて低圧化学蒸着によりSi(100)基板上に3C-SiC膜(2.9~3.4μm厚)をエピタキシャル成長させた。その機械的性質を自立カンチレバー構造を作製して評価した。カンチレバーの偏位の実測値と有限要素シミュレーション値を比較して,SiC/Si界面に関連する残留均一応力(σ₀)とエピ層中の欠陥に関連する残留勾配応力(σ₁)を求めた。σ₁値は-15~-20MPaであった。これは,今までに報告されている3C-SiC/Siに対する値よりもかなり低い。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  LPCVD ,  シラン ,  片持梁 ,  *膜応力 ,  残留応力 ,  計算機シミュレーション ,  ウエハ【IC】 ,  アルカン
準シソーラス用語： モノシラン ,  有限要素シミュレーション ,  シリコン基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： プロパン

タイトルに関連する用語 (6件)： 微細構造 ,  作製 ,  有限要素解析 ,  評価 ,  応力 ,  3C-SiC