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J-GLOBAL ID:201002297011553490   整理番号:10A1134976

厚み勾配のある多重量子井戸によるInGaN/GaN発光ダイオードの効率低下軽減

Efficiency droop alleviation in InGaN/GaN light-emitting diodes by graded-thickness multiple quantum wells
著者 (10件):
資料名:
巻: 97  号: 18  ページ: 181101  発行年: 2010年11月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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厚み勾配のある多重量子井戸(GQW)を有するInGaN/GaN発光ダイオードを設計し,有機金属化学気相成長法により成長させた。井戸厚が[0001]方向に沿って増加するGQW構造は優れた正孔分布と放射再結合分布を有することが,シミュレーションモデリングにより分かった。エレクトロルミネセンススペクトルの実験研究から,GQW内のより狭い井戸からの付加的発光を明らかにした。その結果,効率低下は電流密度30~200A/cm2において最大値から約16%へ軽減され,これは通常のLED(32%)よりも遥かに小さい。また,光出力パワーは20A/cm2で18.0から24.3mWへ増大した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 

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