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J-GLOBAL ID：201002297268052955   整理番号：10A0130723

シリコン熱酸化膜上に作成したMg0/Feナノドット/Mg0構造薄膜の電気特性

著者 (5件)： 工藤昌輝 (北大 大学院) ,  若杉恭平 (北大 大学院) ,  浜田弘一 (北大 大学院) ,  有田正志 (北大 大学院) ,  高橋庸夫 (北大 大学院)
資料名： 日本鉄鋼協会日本金属学会両支部合同サマーセッション概要集  (日本鉄鋼協会日本金属学会両北海道支部合同サマーセッション)
巻： 2009  ページ： 23  発行年： 2009年07月24日 
JST資料番号： L6433A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *電気特性 ,  薄膜 ,  熱酸化 ,  酸化マグネシウム ,  鉄 ,  膜厚 ,  *MBE成長 ,  蒸着 ,  距離 ,  粒子 ,  粒度 ,  *ナノドット ,  粒子間距離 ,  薄膜形成
準シソーラス用語： 成膜 ,  粒子サイズ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  熱酸化膜 ,  Fe ,  ナノドット ,  薄膜 ,  電気特性