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J-GLOBAL ID：201002297366640717   整理番号：10A0492392

InPに格子整合した(AlGaIn)Asの屈折率に関する経験的モデル化

Empirical modeling of the refractive index for (AlGaIn)As lattice matched to InP

著者 (6件)： GRASSE C (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  BOEHM G (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  MUELLER M (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  GRUENDL T (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  MEYER R (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  AMANN M-C (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045018,1-4  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長させた(AlGaIn)Asの屈折率に関して,組成に依存する経験的な公式を反射分光法を用いて決定した。厚さが2μmの(AlGaIn)As層をMBE法およびMOVPE法によって成長させ,X線回折法および光ルミネセンス測定によって特性評価を行った。これらのエタロン構造から得られたデータをSellmeierの式に従ってフィッティングを行い,1~2.5μmの波長域における屈折率を導出した。このようにして得られた正確な表式は垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)のようなオプトエレクトロニクス素子を設計する際に非常に有用であると考えられる。

シソーラス用語： 格子整合 ,  リン化インジウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  化合物半導体 ,  *屈折率 ,  曲線あてはめ ,  赤外線 ,  反射スペクトル ,  垂直共振器形面発光レーザ
準シソーラス用語： *ヒ化アルミニウムガリウムインジウム

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  格子整合 ,  屈折率 ,  経験的モデル