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J-GLOBAL ID：201002297835512733   整理番号：10A0565022

0~7nm厚SiO₂層により覆われたSi(001)からの硬X線光電子回折

Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO₂ Layer

著者 (6件)： PIS Igor (Charles Univ., Prague, CZE) ,  PIS Igor (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Hyogo, JPN) ,  KOBATA Masaaki (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Hyogo, JPN) ,  MATSUSHITA Tomohiro (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.(JASRI), Hyogo, JPN) ,  NOHIRA Hiroshi (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Keisuke (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Hyogo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 5  ページ： 056701.1-056701.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子回折は,元素特定局所原子表面構造を決定する一般的な方法となっている。硬X線の使用は,この方法をバルク敏感にし,多層及び埋め込み層のような新しい材料の原子構造の研究を可能にした。0~7nm厚SiO₂層により覆われたSi(001)からの初めてのCr Kα-励起角度分解X線光電子回折を述べ,この技術の情報深さを実証した。測定結果を,クラスタモデルシミュレーションと比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *X線光電子回折 ,  *ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  *被覆 ,  表面構造 ,  原子構造
準シソーラス用語： *硬X線光電子回折 ,  シリコン ,  角度分解能

分類 (2件)： 電子分光法  (BK01050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (17件)：

• FADLEY, C. S. Phys. Scr. 1987, T17, 39
• FADLEY, C. S. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1994, 68, 19
• KOBAYASHI, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1005
• KOBAYASHI, K. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A. 2009, 601, 32
• KOBATA, M. Anal. Sci. 2010, 26, 227

タイトルに関連する用語 (4件)： 厚 ,  Si ,  硬X線 ,  光電子回折