文献

J-GLOBAL ID：201002298757068950   整理番号：10A0924872

層間絶縁膜用の低誘電率材料に関する信頼性と性能を制限する欠陥

Reliability and Performance Limiting Defects in Low-k Dielectrics for use as Interlayer Dielectrics

著者 (3件)： BITTEL B.C. (Pennsylvania State Univ.) ,  LENAHAN P.M. (Pennsylvania State Univ.) ,  KING S. (Intel Corp.)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 947-950  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低誘電率薄膜の信頼性問題は現在のULSI開発の重要事項である。経時絶縁破壊(TDDB)と応力誘起漏れ電流(SILC)などの信頼性問題と同様に,一般的な漏れ電流も理解が不十分で,しかも,大切な問題である。現在話題となっているのは低誘電率材料の紫外線キュアリング(UVキュアリング)である。これらの膜の信頼性問題に関係する欠陥を原子レベルで理解することは現時点ではできていない。今回,電子スピン共鳴(ESR)と電気測定の研究に着手した。この研究は信頼性問題に関係する深い準位の欠陥を基礎的なところで理解できる助けとなる。信頼性問題は性能を制限する欠陥と密接な相関がある。

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *層間絶縁 ,  *誘電材料 ,  誘電率 ,  信頼性 ,  信頼性解析 ,  欠陥準位 ,  深い準位 ,  電気測定 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  紫外線照射 ,  ゲート【半導体】 ,  拡散障壁

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 層間絶縁膜 ,  低誘電率材料 ,  制限 ,  欠陥