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J-GLOBAL ID：201002298980310606   整理番号：10A0422151

金属膜の表面プラズモン共鳴によって増強した光検出

Light detection enhanced by surface plasmon resonance in metal film

著者 (6件)： FUKUDA Mitsuo (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...) ,  AIHARA Takuma (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...) ,  YAMAGUCHI Kenzo (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...) ,  LING Yu Y. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...) ,  MIYAJI Kazuma (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...) ,  TOHYAMA Makoto (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 15  ページ： 153107  発行年： 2010年04月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモンによって増強した光検出をAu膜/n型Si Schottky構造で確認した。Au膜中で光によって直接励起した電子はn型シリコン中にあふれ,この励起はAu膜に付着したAuナノロッドによって起こる表面プラズモンによって増強された。励起はシリコンのバンドギャップより低いエネルギーに相当する波長範囲で明確に観察した。電子は吸収によって半導体中に発生せず,金属中で直接励起されるSchottky型フォトダイオードの実現可能性を実験的に実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *プラズマ共鳴 ,  *光検出 ,  金 ,  N型半導体 ,  ケイ素 ,  半導体金属接合 ,  光ポンピング ,  電子 ,  ナノロッド ,  表面プラズモン ,  バンドギャップ ,  吸収 ,  フォトダイオード ,  実現可能性
準シソーラス用語： ショットキー接合 ,  *表面プラズモン共鳴

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属膜 ,  表面プラズモン共鳴 ,  増強 ,  光検出