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J-GLOBAL ID：201002299110082353   整理番号：10A0655121

0.18μm CMOS技術における広帯域,高線形低雑音増幅器設計

Wide-band, high linear low noise amplifier design in 0.18um CMOS technology

著者 (4件)： OTHMAN Mousa M. (Integrated Res. Inst., Tokyo Inst. of Technol.) ,  AMAKAWA Shuhei (Integrated Res. Inst., Tokyo Inst. of Technol.) ,  ISHIHARA Noboru (Integrated Res. Inst., Tokyo Inst. of Technol.) ,  MASU Kazuya (Integrated Res. Inst., Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 759-764 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シャント-シャントフィードバック(SSFB)トポロジーによって実行される低雑音増幅器(LNA)の線形性を改善する方法を述べる。並列正/負フィードバックを用いて,このフィードバックループの二次高調波歪(OHD)を抑圧できる。これは,この二次OHDとLNA IIP3の改善に繋がる入力信号との混合により生成されるIM3を最小化する。180nm CMOS技術を用いて,二つのLNAを作製した。一つはJ.Borremans達の論文で記述された従来のSSFBを採用したものであり,もう一つは著者たちが提案した線形化法を用いたものである。この線形化法では,2.8dBの全く同じ雑音指数,3.7GHzの3dB帯域幅を維持しながら平均でIIP3の+8dBm改善を実現する。本作製の各LNAは1.8V電源から7.8mAの電流を消費し,0.007mm²を占拠する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *広帯域増幅器 ,  *線形増幅器 ,  *低雑音増幅器 ,  回路設計 ,  高調波歪 ,  フィードバック ,  SAWフィルタ ,  S行列 ,  雑音指数

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (5件)：

• [1] J. Borremans, et al., “Low-area active-feedback low-noise amplifier design in scaled digital CMOS,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 43, no. 11, pp. 2422-2433, Nov. 2008.
• [2] D. Manstretta, “A broadband low-noise single-ended input differential output amplifier with IM2 cancelling,” Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, pp. 79-82, June 2008.
• [3] B. Razavi, Design of analog CMOS integrated circuits, McGraw-Hill, 2001.
• [4] N. Kim, et al., “A highly linear SAW-less CMOS receiver using a mixer with embedded Tx filtering for CDMA,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 44, no. 8, pp. 2126-2137, Aug. 2009.
• [5] Z. Ru, et al., “A software-defined radio receiver architecture robust to out-of-band interference,” International Solid-State Circuits Conference, pp. 230-231, Feb. 2009.

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS技術 ,  広帯域 ,  線形 ,  低雑音増幅器 ,  設計