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J-GLOBAL ID：201002299326597200   整理番号：10A0235674

酸素イオン注入を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの絶縁に関する電気的キャラクタリゼーションおよび透過型電子顕微鏡法評価

Electrical Characterization and Transmission Electron Microscopy Assessment of Isolation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Oxygen Ion Implantation

著者 (7件)： SHIU Jin-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Chung-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Ting-Yi (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Rong-Tan (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN) ,  ZIRATH Herbert (Chalmers Univ. Technol., Gothenburg, SWE) ,  RORSMAN Niklas (Chalmers Univ. Technol., Gothenburg, SWE) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 021001.1-021001.5  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重エネルギー酸素イオン注入処理は,大出力マイクロ波AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の処理に適用できることを示した。高いシート抵抗率と熱的に安定な絶縁とを示した。注入して後アニーリングした試料の微細構造を,透過型電子顕微鏡法(TEM)により調べた。シート抵抗率と異なる後処理温度との依存性を,欠陥クラスタおよび格子積層欠陥微細構造と関連付けた。300°Cでのアニーリング後に,シート抵抗率は10¹²Ω/cmを超えた。この結果は,捕獲中心を消去し漏れ電流を減少させる欠陥相互作用に起因することを指摘した。サファイア基板上の電場プレートを用いないHEMTについて,最大出力密度5.3W/mmを周波数3GHzで,V_gs=-4VおよびV_ds=50Vで示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  アニオン ,  *イオン注入 ,  キャラクタリゼーション ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  マイクロ波トランジスタ ,  出力 ,  焼なまし ,  シート抵抗 ,  熱安定性 ,  電気絶縁 ,  クラスタ ,  積層欠陥 ,  捕獲中心 ,  漏れ電流 ,  温度依存性 ,  基板 ,  サファイア
準シソーラス用語： 欠陥クラスタ ,  酸素イオン ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu: Proc. IEEE 90(2002)1022.
• S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. J. Doverspike, and D. K. Wickenden: J. Appl. Phys.78(1995)3008.
• S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall: Appl. Phys. Lett.67(1995)1435.
• R. G. Wilson, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. M. Zavada: Solid-State Electron.38(1995)1329.
• J. C. Zolper: J. Cryst. Growth 178(1997)157.

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸素イオン ,  注入 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  絶縁 ,  キャラクタリゼーション ,  透過型電子顕微鏡法 ,  評価