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J-GLOBAL ID：201002299754994310   整理番号：10A0238436

シリコンダイオードでの混合逆降伏現象を解析するための新エレクトロルミネセンス技術

Novel electroluminescence technique to analyze mixed reverse breakdown phenomena in silicon diodes

著者 (2件)： PLESSIS Monuko du (Carl and Emily Fuchs Inst. for Microelectronics, Univ. of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  RADEMEYER Pieter (InSiAva (Pty) Ltd., P.O. Box 14679, Hatfield 0028, Pretoria, South Africa)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 4  ページ： 433-438  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,シリコンダイオードの低電圧降伏形式を解析するための新技術を述べた。逆電流の電界放出トンネル電流成分はキャリアのエネルギー遷移を起こさず,それ故フォトンを放出しないことが示された。pn接合から放出される全てのフォトンはホットキャリアのエネルギー緩和プロセスの結果としてアバランシェエレクトロルミネセンスによった。逆電流の関数として光強度出力を測定し,二つの電流成分(電界放出と衝撃イオン化)を逆電圧の関数として抽出できた。実験結果を,理論モデルを抽出電流に合わせること及び微分動作インピーダンス法を使って証明した。電流の温度係数はまたトンネリングからアバランシェへの遷移を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイオード ,  *降伏 ,  *エレクトロルミネセンス ,  電界放出 ,  電流 ,  エネルギー移動 ,  光子 ,  ホットキャリア ,  緩和現象 ,  衝突イオン化 ,  D動作
準シソーラス用語： エネルギー緩和 ,  トンネル電流 ,  降伏電圧

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 降伏現象 ,  解析 ,  エレクトロルミネセンス