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J-GLOBAL ID：201002299826661354   整理番号：10A0460782

GaAsバイポーラトランジスタ構造におけるピコ秒スイッチングの効率,安定性および信頼性に及ぼすエミッタ面積の重要な効果

Significant Effect of Emitter Area on the Efficiency, Stability and Reliability of Picosecond Switching in a GaAs Bipolar Transistor Structure

著者 (5件)： VAINSHTEIN Sergey N. (Univ. Oulu, Oulu, FIN) ,  YUFEREV Valentin S. (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  KOSTAMOVAARA Juha T. (Univ. Oulu, Oulu, FIN) ,  KULAGINA Marina M. (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MOILANEN Hannu T. (Univ. Oulu, Oulu, FIN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 4  ページ： 733-741  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ面積が拡大したGaAsバイポーラ接合型トランジスタの超高速(ほぼ200ps)アバランシェスイッチング動作について,残留電圧の劇的な低下(ほぼ100Vから数ボルト)と,dU/dtスイッチングレートの増大(ほぼ2倍)とを,実験によって確認した。この結果は,エミッタサイズの過渡現象に独立に関与する直径が数マイクロメートルの導電性チャネルのわずかな部分に生じるトリビアルな現象の一つに限定されたものではない。構造の残された(受動的な)部分がチップ内部を循環する電流をともなったスイッチングチャネルをつくりだして,常時に強力なフィラメント内の衝突イオン化を発生させる。ここで開発した「2トランジスタ」モデルは,とくに,ひとつのトランジスタのスイッチングチャネルをシミュレーションし,もう一方が構造の非スイッチング部分をシミュレーションして,実験との間に優れた一致が得られた。遥かに高いスイッチング安定動作と再現性,そしてはるかに低い電力消費量がエミッタ面積を拡大した構造に観察された。この研究に用いた外部回路を提示し,実験の詳細を報告した。

シソーラス用語： *スイッチングトランジスタ ,  *バイポーラトランジスタ ,  ヒ化ガリウム ,  ピコ秒 ,  *アバランシェトランジスタ ,  電子なだれ ,  エミッタ【半導体】 ,  形状効果 ,  衝突イオン化 ,  スイッチング ,  素子構造 ,  モデリング ,  マイクロ波トランジスタ ,  過渡応答

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  バイポーラトランジスタ ,  ピコ秒 ,  スイッチング ,  安定性 ,  エミッタ ,  面積