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J-GLOBAL ID：201002299852851315   整理番号：10A1124223

カスプ磁場を用いた純粋シリコンの300mm Czochralski結晶内の酸素分布のテイラリング

Tailoring the oxygen distribution in 300 mm Czochralski crystal of pure silicon using cusp magnetic field

著者 (2件)： GUNJAL Prashant R. (Washington Univ. in St. Louis, MO, USA) ,  RAMACHANDRAN Palghat A. (Washington Univ. in St. Louis, MO, USA)
資料名： Progress in Computational Fluid Dynamics  (Progress in Computational Fluid Dynamics)
巻： 10  号： 5/6  ページ： 307-318  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1390A  ISSN： 1468-4349  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski(Cz)成長は単結晶シリコンの製造に使用されるが結晶の品質制御のためにはこのシステムのプロセス制御が重要な課題となる。成長する結晶内の酸素の存在は結晶欠陥の主要要因の1つであり場合によっては結晶の伝導率の制御に有効となる。そこで溶融液内の酸素濃度に対する局所的溶融液流れ挙動の影響を調べるためにCz-Si過程の解析を行った。計算結果から坩堝内部の流れ変動が酸素の溶解及び蒸発速度に顕著な影響を与えることを示した。結晶及び坩堝の回転は熱流体により形成する流れを安定化して溶融液内の酸素の溶解速度を低下させる傾向がある。酸素濃度は磁場のない場合と比較して結晶化界面において均一性が大きくなることを示した。

シソーラス用語： カスプ磁場 ,  ケイ素 ,  *Czochralski法 ,  *単結晶 ,  酸素 ,  濃度分布 ,  *プロセス制御 ,  流れ場 ,  坩堝 ,  内部流 ,  溶解 ,  溶解速度 ,  蒸発速度 ,  界面 ,  均一性

分類 (2件)： 電磁気学一般  (BD01020N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： カスプ磁場 ,  シリコン ,  結晶 ,  酸素 ,  分布