特許
J-GLOBAL ID：201003000765082370
有機半導体素子の作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲葉 滋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-038658
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199100
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】半導体素子の機能を製造後に設定・変更することで、後天性機能が付与された半導体素子を実現する。【解決手段】 両極性を備えた有機半導体層上に互いに離間して設けた少なくとも2つの電極と、絶縁膜を挟んで有機半導体層と反対側に設けたバックゲートと、を備えた有機半導体素子において、バイアスストレス効果が生じる第1の温度下でゲート電圧を有機半導体素子に印加して前記有機半導体層に正電荷あるいは負電荷を生成させ、バイアスストレス効果により前記生成した正電荷あるいは負電荷をトラップさせ、前記ゲート電圧を印加した状態で、前記有機半導体素子をバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却して前記トラップされた正電荷あるいは負電荷を固定し、前記ゲート電圧の印加を除去することで、前記固定された正電荷あるいは負電荷と逆の電荷をキャリアとして前記有機半導体層に注入させる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
有機半導体層上に互いに離間して設けた少なくとも2つの電極と、絶縁膜を挟んで有機半導体層と反対側に設けたバックゲートと、を備えた有機半導体素子を用いた有機半導体素子の後天的作製法であって、
前記有機半導体層は、両極性の有機材料から構成されており、
バイアスストレス効果が生じる第1の温度下で、前記少なくとも2つの電極の各電極と前記バックゲートとの間に極性の異なる電圧をそれぞれ印加して、前記有機半導体層内に正電荷が生成される第1領域と、負電荷が生成される第2領域と、を第1領域と第2領域が隣接するように形成し、かつ、バイアスストレス効果により第1領域、第2領域で生成した正電荷、負電荷をトラップさせるステップと、
前記電圧を印加した状態で、前記有機半導体素子をバイアスストレス効果が凍結される第2の温度以下の温度まで冷却して第1領域、第2領域でそれぞれトラップされた正電荷、負電荷を固定するステップと、
前記電圧の印加を除去することで、前記第1領域には負電荷を注入させ、前記第2領域には正電荷を注入させて、前記有機半導体層内にPN接合を形成するステップと、
からなる有機半導体デバイスの後天的作製法。
IPC (4件)：
H01L 29/861
, H01L 51/05
, H01L 21/368
, H01L 29/66
H01L29/91 G
, H01L29/28 100A
, H01L21/368 L
, H01L29/66 C
5F053AA50
, 5F053DD19
, 5F053FF01
, 5F053PP20
, 5F053RR20
