レーザ加工方法およびレーザ加工装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-057700
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212478
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】半導体ウェハーなどの脆性基板をレーザで割断する従来の方法では、加工に用いる装置が複雑化、大型化するという課題があった。【解決手段】半導体ウェハー1のストリート2に波長が紫外域以下の第1のレーザを照射してスクライブ溝を形成しながら半導体ウェハー1を加工位置に従って相対移動し、この相対移動中にスクライブ溝に沿って半導体ウェハー1の内部に焦点を合わせた波長が赤外域以上の第2のレーザを照射して半導体ウェハー1を割断するので、第1のレーザの照射による熱影響が第2のレーザの照射に影響せず、同時に加工でき、簡単な構成で残留ストレスを有効に活用した割断が行える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に回路を形成した脆弱基板の分割位置に波長が紫外域以下の第1のレーザを照射してスクライブ溝を形成しながら前記レーザと前記脆性基板を加工位置に従って相対移動するステップと、前記相対移動中に前記スクライブ溝に沿って前記スクライブ溝よりも前記脆弱基板の内部に焦点を合わせた波長が赤外域以上の第2のレーザを照射して前記脆性基板を割断するレーザ加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 , B23K 26/38 , B23K 26/40 , B23K 26/00 , B23K 26/04

FI (6件)：

H01L21/78 B , B23K26/38 320 , B23K26/40 , B23K26/00 H , B23K26/04 C , H01L21/78 Q

Fターム (7件)：

4E068AE00 , 4E068AJ01 , 4E068CA11 , 4E068CD02 , 4E068CE04 , 4E068DA10 , 4E068DB12

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-118190号公報
脆性基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143361 出願人：株式会社ディスコ

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