特許

J-GLOBAL ID：201003002534553870

薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置

発明者： 朴 炳建 ,  李 東▲ヒュン▼ ,  李 吉遠 ,  梁 泰勳 ,  徐 晉旭 ,  李 基龍 ,  安 志洙 ,  マキシム・リサチェンコ
出願人/特許権者： 三星モバイルディスプレイ株式會社
代理人 (3件)： 佐伯 義文 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-085265
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157674
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する第1半導体層及び第2半導体層と、前記第1半導体層及び第2半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記第1半導体層及び第2半導体層と前記ゲート電極とを絶縁するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記第2半導体層と一部が接続するソース/ドレインである電極とを含み、前記第1半導体層は前記第2半導体層の下部に位置し、前記第1半導体層の面積は第2半導体層の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置とその製造方法に関する。【選択図】図2B

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に位置するバッファ層と、 前記バッファ層上に位置する第1半導体層及び第2半導体層と、 前記第1半導体層及び第2半導体層と絶縁されるゲート電極と、 前記第1半導体層及び第2半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極と絶縁され、前記第2半導体層と一部が接続するソース/ドレイン電極をと、を含み、 前記第1半導体層は前記第2半導体層の下部に位置し、前記第1半導体層の面積は第2半導体層の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (6件)：

H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 612Z ,  H01L21/20 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10

Fターム (78件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CD05 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE15 ,  5F152CE26 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152CF14 ,  5F152CF18 ,  5F152FF01 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018098   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜状半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-096439   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305531   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018098   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜状半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-096439   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305531   出願人：三洋電機株式会社