特許
J-GLOBAL ID：200903043928980967
半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106951
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 表面凹凸の無い高品質結晶性ケイ素薄膜、および高性能で且つ信頼性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜であって、該ケイ素膜は、非晶質ケイ素膜を強光照射により結晶化させたものからなり、その表面が酸化工程により削られ、薄膜化されたものであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜であって、該ケイ素膜は、非晶質ケイ素膜を強光照射により結晶化させてなり、その表面が酸化工程により削られ、平坦化されていることを特徴とする半導体薄膜。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
