特許
J-GLOBAL ID:201003002644408689

基板処理方法、露光装置、及びデバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  西 和哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-211955
公開番号(公開出願番号):特開2010-050223
出願日: 2008年08月20日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】基板の表面を高い精度で目標位置に配置して基板を処理できる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、基板上に設けられた複数の被処理領域を処理実行領域に順次配置し、それら被処理領域ごとに基板の表面位置の検出をすることと、複数の被処理領域を処理実行領域に順次配置し、それら被処理領域ごとに表面位置の検出の検出結果に基づいて基板の表面と所定面との相対位置調整をして所定処理を行うことと、を含む。【選択図】図8
請求項(抜粋):
基板上に設けられた複数の被処理領域に対して所定処理を行う基板処理方法であって、 複数の前記被処理領域を処理実行領域に順次配置し、該被処理領域ごとに前記基板の表面位置の検出をすることと、 複数の前記被処理領域を前記処理実行領域に順次配置し、該被処理領域ごとに前記表面位置の検出の検出結果に基づいて前記基板の表面と所定面との相対位置調整をして前記所定処理を行うことと、 を含む基板処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (4件):
H01L21/30 525D ,  H01L21/30 514B ,  H01L21/30 526 ,  H01L21/30 525W
Fターム (7件):
5F046BA04 ,  5F046DA14 ,  5F046DA17 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EC03 ,  5F046ED01
引用特許:
出願人引用 (1件)

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