特許
J-GLOBAL ID：201003002714008098
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 山王坂特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-313084
公開番号（公開出願番号）：特開2010-140942
出願日： 2008年12月09日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】高い光束を維持しつつ、ワイヤ断線の発生を抑えた、品質および信頼性の高い半導体発光装置を提供することを目的とする。さらに、このような半導体発光装置の歩留まりの高い製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】封止材に混合する光反射性フィラーの濃度を、所定以上の光束を維持可能で、かつ、ワイヤ断線の発生の可能性の低い範囲のものとする。また、その範囲において、複数の濃度の封止材を用意し、光反射性フィラーの濃度により色度がシフトすることを利用して、製造時に半導体発光素子の色度に応じた濃度の封止材を用い、色度のばらつきを製造時に抑える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換層と、
前記半導体発光素子と前記波長変換層とを実装する基板と、
前記半導体発光素子と基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
樹脂を主成分とする封止材と、を備える半導体発光装置であって、
前記封止材は、前記波長変換層の側面に配置され、酸化チタンを含有する光透過性樹脂であり、
当該酸化チタンの含有量は、0.1〜8.0wt%であること
を特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041AA25
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041DA01
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA45
, 5F041DA78
出願人引用 (1件)
-
発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-189361
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (3件)
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