特許
J-GLOBAL ID：201003003800328824

圧力によって超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体薄膜を用いた圧力検出装置、ジョセフソン素子および超伝導量子干渉計

発明者：
鈴木 孝至

鈴木 孝至 について


出願人/特許権者：
国立大学法人広島大学

国立大学法人広島大学 について


代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213934
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041060
出願日： 2009年09月16日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。【解決手段】圧力検出装置30は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜11〜14のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜12〜14を電流計242,252,262によって検出し、その検出した超伝導体薄膜12〜14の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器10内の圧力として検出する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
10K以下の絶対温度に保持され、CuRh2S4からなる超伝導体薄膜と、 前記超伝導体薄膜の一部に超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力以上の圧力を印加する圧力印加器とを備えるジョセフソン素子。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ,  H01L 39/00 ,  G01L 1/00
FI (3件)：
H01L39/22 A ,  H01L39/00 A ,  G01L1/00 Z
Fターム (11件)：
4M113AA02 ,  4M113AA12 ,  4M113AA22 ,  4M113AA37 ,  4M113AC08 ,  4M113AC44 ,  4M113BA26 ,  4M113BA29 ,  4M113BA30 ,  4M113CA16 ,  4M113CA41
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM