撮像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-164178
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010740
出願日： 2008年06月24日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】高感度な撮像装置を提供する。【解決手段】このCMOSイメージセンサ(撮像装置)は、電子を蓄積するための電子蓄積部3bと、電子蓄積部3bに電圧を印加するための蓄積ゲート電極10と、電子蓄積部3bに蓄積された電子を衝突電離させて増倍するための電子増倍部3aと、電子増倍部3aに電圧を印加するための増倍ゲート電極8と、蓄積ゲート電極10と増倍ゲート電極8との間に設けられ、電子を転送させるための転送ゲート電極9と、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9および蓄積ゲート電極10の下方に設けられ、電子を転送する経路を形成するための埋込み層3とを備え、埋込み層3の増倍ゲート電極8の下方に対応する領域の不純物濃度は、転送ゲート電極9の下方に対応する領域の不純物濃度よりも高い。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

信号電荷を蓄積するための電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に電圧を印加するための第1電極と、前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を衝突電離させて増加するための電荷増加部と、前記電荷増加部に電圧を印加するための第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、信号電荷を転送させるための第3電極と、少なくとも前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極の下方に設けられ、信号電荷を転送する経路を形成するための不純物領域とを備え、前記不純物領域の前記第2電極の下方に対応する領域の不純物濃度は、前記第3電極の下方に対応する領域の不純物濃度よりも高い、撮像装置。

IPC (2件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146

FI (2件)：

H04N5/335 E , H01L27/14 A

Fターム (21件)：

4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118DA03 , 4M118DA23 , 4M118DB05 , 4M118DB09 , 4M118DB10 , 4M118DB13 , 4M118DB16 , 4M118DD04 , 4M118DD08 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA33 , 4M118FA39 , 5C024CX41 , 5C024GX03 , 5C024GX07 , 5C024GY39

引用特許：

出願人引用 (1件)

撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-188088 出願人：三洋電機株式会社

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