特許

J-GLOBAL ID：201003004684942354

有機トランジスタ

発明者： 中塚 正勝
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257376
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087410
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。(式中、X1〜X14はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するX1〜X8は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  C07D 495/04

FI (4件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  C07D495/04 111

Fターム (68件)：

4C071AA02 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071EE15 ,  4C071FF25 ,  4C071GG01 ,  4C071GG02 ,  4C071GG03 ,  4C071HH01 ,  4C071HH05 ,  4C071JJ01 ,  4C071JJ07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ゲート絶縁膜の改質した表面を有する有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-575431   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー