特許
J-GLOBAL ID：201003005364151851
配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-300727
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129647
出願日： 2008年11月26日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】 20GHz以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。 【解決手段】 誘電体基板1の一方主面上の信号線路導体2と、その両側に間隔を設けて配置された第1の接地導体3と、第1の接地導体3と接続された誘電体基板1の他方主面上の第2の接地導体3aと、信号線路導体2の一端と第1の接地導体3とを接続する抵抗体4と、第1の接地導体3と絶縁されたバイアス端子電極5と、誘電体基板1の内部の、一端が信号線路導体2の一端に、他端がバイアス端子電極5にそれぞれ貫通導体6aを介して接続されたバイアス導体6と、バイアス導体6に長さ方向に沿って接続された電波吸収体7とを具備する配線基板8である。信号線路導体2とバイアス導体6とが電磁結合しても電波吸収体7により減衰して信号線路導体2への反射が小さいので良好な終端特性となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体基板と、該誘電体基板の一方主面上に配置された信号線路導体と、該信号線路導体の両側に間隔を設けて配置された第1の接地導体と、前記誘電体基板の他方主面上に配置された、前記第1の接地導体と接続導体を介して接続されている第2の接地導体と、前記信号線路導体の一端と前記第1の接地導体とを接続する抵抗体と、前記誘電体基板の一方主面上に前記第1の接地導体と絶縁されて配置されたバイアス端子電極と、前記誘電体基板の内部に配置された、一端が前記信号線路導体の前記一端に、および他端が前記バイアス端子電極にそれぞれ貫通導体を介して接続されたバイアス導体と、該バイアス導体に長さ方向に沿って接続された電波吸収体とを具備することを特徴とする配線基板。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, H01L 23/12
, H01L 23/02
, H01L 23/06
H01L23/14 M
, H01L23/12 E
, H01L23/02 H
, H01L23/06 C
