特許

J-GLOBAL ID：201003005717362606

複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法

発明者： セイフェルト, ウェルナー ,  アソリ, ダミール ,  ビ, ツァオシア
出願人/特許権者： クナノ アーベー
代理人 (5件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-545523
公開番号（公開出願番号）：特表2010-515651
出願日： 2008年01月14日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

本発明は、ダイオード、LEDおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法(CVD)を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるV/III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するV/III比より実質的に低い。

請求項（抜粋）：

選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法(CVD)を利用して複数の窒化基半導体のナノワイヤを成長させる方法であって、 ナノワイヤ成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、 前記ナノワイヤ成長工程中、前記窒素源が連続して流れていることを特徴とする方法。

IPC (9件)：

C30B 29/62 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/04 ,  C01B 21/06 ,  H01L 33/06 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00

FI (9件)：

C30B29/62 Q ,  C30B25/16 ,  C30B25/04 ,  C01B21/06 A ,  H01L33/00 112 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

Fターム (33件)：

4G077AA04 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077TA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TJ05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-519163   出願人：ソウルオプトデバイスカンパニーリミテッド
• 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-203835   出願人：松下電工株式会社