特許
J-GLOBAL ID：201003005831684451
Al基材、それを用いた絶縁層付金属基板、半導体素子および太陽電池
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-104799
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283342
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】容易なプロセスにて製造可能であり、半導体プロセスにおける耐熱性を有し、耐電圧性に優れ、漏れ電流の小さい絶縁層付金属基板、及びそれを実現するAl基材を提供する。【解決手段】絶縁層付金属基板2は、Alマトリックス中に、陽極酸化の際に陽極酸化される物質からなる析出粒子15のみを含有するAl基材1の少なくとも一方の面に陽極酸化を行うことによって形成されたものである。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の面に陽極酸化を行うことによって、半導体素子用の絶縁層付金属基板を形成する方法に使用されるAl基材であって、Alマトリックス中に、析出粒子として、陽極酸化により陽極酸化される物質からなる析出粒子のみを含有するものであることを特徴とするAl基材。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L31/04 E
, H01L31/04 H
, H01L29/78 626C
5F110AA30
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD25
, 5F151AA10
, 5F151CB14
, 5F151CB30
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151GA03
, 5F151GA05
