特許

J-GLOBAL ID：201003005919156641

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 栗山 俊寛
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-279783
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109155
出願日： 2008年10月30日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】斜め入射光に対する遮光性を高める。【解決手段】垂直転送電極11の上部に、第1絶縁膜35、遮光材料膜33および第2絶縁膜36を順に積層して積層構造を形成し、積層構造に行方向に延びる複数のスリットを形成することにより、遮光材料膜33を分断して複数の第1遮光膜を形成し、スリットが形成された状態で第3絶縁膜38を形成し、第3絶縁膜38に異方性エッチングを施してスリット内の内側壁を被覆するサイドウォール39を残存させ、サイドウォール39で挟まれたスリット内の隙間に遮光性および導電性を有する材料を充填して、コンタクト22およびこれに繋がる第2遮光膜14を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1遮光膜が間隔を開けて複数並設され、当該第1遮光膜の上層に、シャント配線を兼ねた第2遮光膜が各第1遮光膜間の間隔を覆うように複数並設され、前記第2遮光膜と前記第1遮光膜の下層にある垂直転送電極とが前記第1遮光膜間の間隔内を貫通するコンタクトにより電気的に接続された固体撮像装置の製造方法であって、 前記半導体基板の上部に複数の垂直転送電極を列設し、 前記垂直転送電極が形成された半導体基板の上部に、第1絶縁膜、遮光材料膜、および、第2絶縁膜を順に積層して積層構造を形成し、 前記積層構造に行方向に延びるスリットを複数形成することにより、前記遮光材料膜を分断して第1遮光膜を複数形成し、 前記スリットが形成された状態で、前記半導体基板の上部に絶縁材料を堆積させることにより、前記積層構造の上面、前記スリット内の内側壁および底面を第3絶縁膜で被覆し、 被覆された第3絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記第3絶縁膜における前記内側壁に被覆した部分を残留させつつ、前記スリット内の底面に垂直転送電極を露出させ、 その後、第3絶縁膜の残留部分に挟まれたスリット内の隙間に遮光性および導電性を有する材料を充填して、前記コンタクトおよびこれに繋がる第2遮光膜を形成すること を特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/14 B ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 F

Fターム (22件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118DA20 ,  4M118DA40 ,  4M118EA09 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB19 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024BX04 ,  5C024CX01 ,  5C024CX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GZ36 ,  5C024HX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042710   出願人：日本電気株式会社