特許

J-GLOBAL ID：201003006517928830

パターン形成方法

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-030224
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186060
出願日： 2009年02月12日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、1回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

被加工基板上に、酸によって脱離する酸不安定基を持つ構造を有する繰り返し単位を有し、上記酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、高エネルギー線の露光により酸を発生する光酸発生剤又は光酸発生剤と加熱により酸を発生する熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、プリベークにより不要な溶剤を除去してレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜にハーフピッチ以下のライン幅による格子状の第1のシフターと、第1のシフター上に第1のシフターの幅よりもウエハー上の寸法で2〜100nm太いドットパターンの第2のシフターが配列された位相シフトマスクを用いて高エネルギー線を露光し、露光後加熱し、露光によって上記酸発生剤から発生した酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせた後、アルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、該工程で得られたポジ型パターンを露光もしくは加熱して酸あるいは熱により、該ポジ型パターン中の上記樹脂の酸不安定基を脱離させてアルカリ溶解性を向上させ、かつ該樹脂にアルカリ性ウェットエッチング液に対する溶解性を失わない範囲で架橋を形成させて、上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程、上記架橋が形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。

IPC (8件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/38 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28

FI (10件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/11 503 ,  G03F1/08 D ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 569F ,  C08F220/28

Fターム (42件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025DA29 ,  2H025DA34 ,  2H025FA01 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H095BA02 ,  2H095BB03 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096GA09 ,  2H096HA05 ,  4J100AJ02S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC58P ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F046AA25 ,  5F046LA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-030281   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-122862   出願人：株式会社東芝