特許
J-GLOBAL ID：201003007442286842

ゲート絶縁膜層成形材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法

発明者：
後関 頼太

後関 頼太 について

, 
中子 偉夫

中子 偉夫 について

, 
山本 和徳

山本 和徳 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-276720
公開番号（公開出願番号）：特開2010-108986
出願日： 2008年10月28日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】 FET特性値の向上が可能である、ゲート絶縁膜層形成材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極、ソース-ドレイン電極、チャネル層を構成する半導体層及びゲート電極とチャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜を備えた電界効果型トランジスタ用のゲート絶縁膜層形成材料であって、前記ゲート絶縁膜がエポキシ樹脂からなり、このエポキシ樹脂の硬化剤として下記一般式(1)で示される重縮合型アリーロキシシラン化合物を用いるゲート絶縁膜層形成材料。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極、ソース-ドレイン電極、チャネル層を構成する半導体層及びゲート電極とチャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜を備えた電界効果型トランジスタ用のゲート絶縁膜層形成材料であって、前記ゲート絶縁膜がエポキシ樹脂からなり、このエポキシ樹脂の硬化剤として下記一般式(1)で示される重縮合型アリーロキシシラン化合物を用いるゲート絶縁膜層形成材料。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/312 A
Fターム (31件)：
5F058AB07 ,  5F058AC01 ,  5F058AD03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5,981.970号明細書
  • 有機半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-098086   出願人：キヤノン株式会社
審査官引用 (1件)

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