特許

J-GLOBAL ID：200903065005180988

有機半導体素子

発明者： 久保田 純 ,  宮崎 元 ,  中山 寛晴
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098086
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304121
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】低いゲート電圧で安定的に駆動する有機半導体素子を提供する。【解決手段】絶縁部にシルセスキオキサン骨格を有することを特徴とする有機半導体素子を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも基板、有機半導体、絶縁体、導電体からなり、バイアス印加のための電極を有する有機半導体素子において、前記絶縁体部を構成する化合物の少なくとも一種類が〔化1〕に示すシルセスキオキサン骨格を有することを特徴とする有機半導体素子。 【外1】

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617T

Fターム (24件)：

5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110NN01 ,  5F110NN62

引用特許：

審査官引用 (3件)

• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300993   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-103052
  
• フッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-035425   出願人：昭和電工株式会社